2SAR542PT100 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 23.28 грн |
| 2000+ | 20.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR542PT100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR542PT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 5A, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SAR542PT100 за ціною від 16.55 грн до 80.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SAR542PT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR542PT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 3368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SAR542PT100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT PNP 30V 5A |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SAR542PT100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR542PT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR542PT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 5A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 240MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 2224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR542PT100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR542PT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 5A Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| 2SAR542PT100 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
2SAR542PT100 PNP SMD transistors |
товару немає в наявності |