SOT89.jpg)
2SAR552PHZGT100 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 3A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 22.63 грн |
2000+ | 19.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR552PHZGT100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR552PHZGT100 - Transistor, Bipolar, PNP, 30 V, 3 A, SOT-89, AEC-Q101, 200 hFE, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: 330MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SAR552PHZGT100 за ціною від 17.29 грн до 78.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SAR552PHZGT100 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SAR552PHZGT100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SAR552PHZGT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: SOT-89 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|