2SAR553RHZGTL ROHM Semiconductor



Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-346T, -20V -50A, Middle Power Transistor for Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SAR553RHZGTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR553RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції 2SAR553RHZGTL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SAR553RHZGTL 2SAR553RHZGTL ROHM Description: ROHM - 2SAR553RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR553RHZGTL 2SAR553RHZGTL ROHM Description: ROHM - 2SAR553RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR553RHZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR553RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR553RHZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR553RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.