2SAR572D3TL1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 5A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 23.22 грн |
| 5000+ | 20.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR572D3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 10W, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 5A, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SAR572D3TL1 за ціною від 23.53 грн до 129.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SAR572D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SAR572D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 5A TO-252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 6583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SAR572D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2SAR572D3TL1 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP -30V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE |
на замовлення 3058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2SAR572D3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2SAR572D3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 10W Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 5A Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SAR572D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 253+ | 56.00 грн |
| 2SAR572D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 5A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
Description: TRANS PNP 30V 5A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 6583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.34 грн |
| 10+ | 53.43 грн |
| 100+ | 35.36 грн |
| 500+ | 25.88 грн |
| 1000+ | 23.53 грн |
| 2SAR572D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 110+ | 129.65 грн |
| 173+ | 81.91 грн |
| 411+ | 34.42 грн |
| 414+ | 32.96 грн |
| 500+ | 26.63 грн |
| 1000+ | 24.35 грн |
| 2000+ | 24.04 грн |
| 2SAR572D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP -30V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE
Bipolar Transistors - BJT PNP -30V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SAR572D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SAR572D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 10W
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 5A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR572D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 10W
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 5A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




