2SAR573D3TL1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 3A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.63 грн |
| 5000+ | 21.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR573D3TL1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 10W, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SAR573D3TL1 за ціною від 24.98 грн до 94.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SAR573D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SAR573D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SAR573D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SAR573D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SAR573D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SAR573D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 50V 3A TO-252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 5751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SAR573D3TL1 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP -50V -3A 10W Pwr trnstr Low VCE |
на замовлення 4925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2SAR573D3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2SAR573D3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 10W Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SAR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 30.20 грн |
| 5000+ | 28.27 грн |
| 2SAR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 461+ | 30.74 грн |
| 2SAR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 323+ | 43.88 грн |
| 336+ | 42.12 грн |
| 500+ | 40.60 грн |
| 2SAR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 213+ | 66.53 грн |
| 299+ | 47.34 грн |
| 500+ | 37.92 грн |
| 1000+ | 33.33 грн |
| 2SAR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 93.42 грн |
| 12+ | 66.53 грн |
| 100+ | 47.34 грн |
| 500+ | 36.57 грн |
| 1000+ | 30.86 грн |
| 2SAR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
Description: TRANS PNP 50V 3A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 5751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 94.06 грн |
| 10+ | 56.91 грн |
| 100+ | 37.60 грн |
| 500+ | 27.48 грн |
| 1000+ | 24.98 грн |
| 2SAR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP -50V -3A 10W Pwr trnstr Low VCE
Bipolar Transistors - BJT PNP -50V -3A 10W Pwr trnstr Low VCE
на замовлення 4925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SAR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SAR573D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 10W
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR573D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 10W
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




