2SAR574D3FRATL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 152+ | 93.33 грн |
| 250+ | 84.18 грн |
| 500+ | 74.75 грн |
| 1000+ | 68.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR574D3FRATL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 10W, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 2A, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SAR574D3FRATL за ціною від 51.31 грн до 144.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SAR574D3FRATL | Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PNP 80V 2A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 2316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SAR574D3FRATL | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SAR574D3FRATL | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2SAR574D3FRATL | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -80V -2A, Power Transistor |
на замовлення 2192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
2SAR574D3FRATL | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
2SAR574D3FRATL | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 10W Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SAR574D3FRATL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
Description: TRANS PNP 80V 2A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 124.76 грн |
| 10+ | 107.53 грн |
| 100+ | 83.83 грн |
| 500+ | 64.99 грн |
| 1000+ | 51.31 грн |
| 2SAR574D3FRATL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 144.55 грн |
| 10+ | 90.84 грн |
| 100+ | 73.64 грн |
| 2SAR574D3FRATL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 80V 2A 10000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 98+ | 144.55 грн |
| 156+ | 90.84 грн |
| 193+ | 73.64 грн |
| 2SAR574D3FRATL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -80V -2A, Power Transistor
Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -80V -2A, Power Transistor
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SAR574D3FRATL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SAR574D3FRATL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 10W
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR574D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 2 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 10W
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)