2SAR579D3TLQ Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP, TO-252 (DPAK), -160V -1.5A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 67MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 103.59 грн |
| 10+ | 63.27 грн |
| 100+ | 42.10 грн |
| 500+ | 30.96 грн |
| 1000+ | 28.21 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR579D3TLQ Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 10W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 67MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SAR579D3TLQ за ціною від 23.67 грн до 142.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SAR579D3TLQ | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT Transistor, 2SAR579D3 is a power with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. |
на замовлення 1515 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SAR579D3TLQ | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 31 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SAR579D3TLQ |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Transistor, 2SAR579D3 is a power with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
Bipolar Transistors - BJT Transistor, 2SAR579D3 is a power with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 142.80 грн |
| 10+ | 71.98 грн |
| 100+ | 41.63 грн |
| 500+ | 32.62 грн |
| 1000+ | 29.76 грн |
| 2500+ | 26.61 грн |
| 5000+ | 23.67 грн |
| 2SAR579D3TLQ |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)