2SAR579D3TLQ ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 67MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 35.52 грн |
| 31+ | 26.26 грн |
| 100+ | 25.69 грн |
| 500+ | 23.41 грн |
| 1000+ | 21.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR579D3TLQ ROHM
Description: ROHM - 2SAR579D3TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 67MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2SAR579D3TLQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | _PRICE_WITHOUT_VAT | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SAR579D3TLQ | Rohm Semiconductor |
Description: PNP, TO-252 (DPAK), -160V -1.5A, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 67MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SAR579D3TLQ | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT 2SAR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. |
на замовлення 2478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2SAR579D3TLQ | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SAR579D3TLQ |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PNP, TO-252 (DPAK), -160V -1.5A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 67MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
Description: PNP, TO-252 (DPAK), -160V -1.5A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 67MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.69 грн |
| 10+ | 38.81 грн |
| 25+ | 34.91 грн |
| 100+ | 28.77 грн |
| 250+ | 26.87 грн |
| 500+ | 25.72 грн |
| 1000+ | 24.37 грн |
| 2SAR579D3TLQ |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 2SAR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
Bipolar Transistors - BJT 2SAR579D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier.
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.50 грн |
| 10+ | 67.80 грн |
| 100+ | 39.21 грн |
| 500+ | 30.72 грн |
| 1000+ | 28.03 грн |
| 2500+ | 25.06 грн |
| 5000+ | 22.30 грн |
| 2SAR579D3TLQ |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)