
2SAR582D3FRATL ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 52.04 грн |
500+ | 38.21 грн |
1000+ | 31.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR582D3FRATL ROHM
Description: ROHM - 2SAR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 230MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SAR582D3FRATL за ціною від 24.48 грн до 124.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SAR582D3FRATL | Виробник : ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -10V -30A, Power Transistor for Automotive |
на замовлення 2419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SAR582D3FRATL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 230MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|