2SAR582D3TL1 Rohm Semiconductor


2sar582d3tl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
273+51.93 грн
310+45.68 грн
325+43.64 грн
500+39.76 грн
1000+35.00 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SAR582D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 30V 10A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V, Frequency - Transition: 230MHz, Supplier Device Package: TO-252, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 10 W.

Інші пропозиції 2SAR582D3TL1 за ціною від 44.68 грн до 117.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SAR582D3TL1 2SAR582D3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 30V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 230MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.14 грн
10+88.65 грн
100+68.95 грн
500+54.85 грн
1000+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR582D3TL1 2SAR582D3TL1 Rohm Semiconductor 2sar582d3tl-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.17 грн
127+111.94 грн
250+107.44 грн
500+99.87 грн
1000+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR582D3TL1 2SAR582D3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP DPAK 30V
на замовлення 3152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR582D3TL1 datasheet?p=2SAR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 230MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 3478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.14 грн
10+88.65 грн
100+68.95 грн
500+54.85 грн
1000+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR582D3TL1 2sar582d3tl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
121+117.17 грн
127+111.94 грн
250+107.44 грн
500+99.87 грн
1000+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR582D3TL1 datasheet?p=2SAR582D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP DPAK 30V
на замовлення 3152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.