2SAR583D3FRATL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 191.40 грн |
| 10+ | 165.51 грн |
| 100+ | 133.03 грн |
| 500+ | 102.58 грн |
| 1000+ | 84.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR583D3FRATL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 230MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SAR583D3FRATL за ціною від 63.59 грн до 191.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SAR583D3FRATL | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2SAR583D3FRATL | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR583D3FRATL | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT TO-252 50V 7A PWR TRANS |
на замовлення 1718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2SAR583D3FRATL | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 230MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2SAR583D3FRATL | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 230MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SAR583D3FRATL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 191.74 грн |
| 10+ | 139.29 грн |
| 25+ | 138.29 грн |
| 50+ | 130.74 грн |
| 100+ | 90.12 грн |
| 250+ | 85.65 грн |
| 500+ | 75.73 грн |
| 1000+ | 63.59 грн |
| 2SAR583D3FRATL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 74+ | 191.74 грн |
| 102+ | 139.29 грн |
| 103+ | 138.29 грн |
| 105+ | 130.74 грн |
| 141+ | 90.12 грн |
| 250+ | 85.65 грн |
| 500+ | 75.73 грн |
| 1000+ | 63.59 грн |
| 2SAR583D3FRATL |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT TO-252 50V 7A PWR TRANS
Bipolar Transistors - BJT TO-252 50V 7A PWR TRANS
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SAR583D3FRATL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SAR583D3FRATL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





