Продукція > ROHM > 2SAR583D3TL1
2SAR583D3TL1

2SAR583D3TL1 ROHM


2sar583d3tl-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SAR583D3TL1 ROHM

Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 7A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 230MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SAR583D3TL1 за ціною від 41.75 грн до 160.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Виробник : ROHM 2sar583d3tl-e.pdf Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.55 грн
10+96.83 грн
100+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, Power Transistor
на замовлення 5189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.83 грн
10+99.27 грн
100+64.37 грн
500+51.27 грн
1000+46.51 грн
2500+43.16 грн
5000+41.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor 2sar583d3tl-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+143.16 грн
123+99.23 грн
200+83.78 грн
500+68.47 грн
1000+60.06 грн
2500+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor 2sar583d3tl-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
129+146.67 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 50V 7A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 230MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.99 грн
10+99.30 грн
100+67.27 грн
500+50.25 грн
1000+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 50V 7A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 230MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.