Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SAR583D3TL1
2SAR583D3TL1

2SAR583D3TL1 Rohm Semiconductor

2sar583d3tl-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
249+56.82 грн
260+54.54 грн
500+52.57 грн
1000+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SAR583D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 230MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SAR583D3TL1 за ціною від 44.39 грн до 165.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Rohm Semiconductor 2sar583d3tl-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.04 грн
10+101.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 50V 7A TO-252
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 230MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.98 грн
10+95.59 грн
100+64.76 грн
500+48.38 грн
1000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Rohm Semiconductor 2sar583d3tl-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+165.95 грн
123+115.03 грн
200+97.12 грн
500+79.38 грн
1000+69.62 грн
2500+56.17 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, Power Transistor
на замовлення 4535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 ROHM datasheet?p=2SAR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Rohm Semiconductor 2sar583d3tl-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 ROHM datasheet?p=2SAR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 2sar583d3tl-e.pdf
2SAR583D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+141.04 грн
10+101.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 datasheet?p=2SAR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SAR583D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 7A TO-252
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 230MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+154.98 грн
10+95.59 грн
100+64.76 грн
500+48.38 грн
1000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 2sar583d3tl-e.pdf
2SAR583D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+165.95 грн
123+115.03 грн
200+97.12 грн
500+79.38 грн
1000+69.62 грн
2500+56.17 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 datasheet?p=2SAR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SAR583D3TL1
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, Power Transistor
на замовлення 4535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 datasheet?p=2SAR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SAR583D3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 2sar583d3tl-e.pdf
2SAR583D3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR583D3TL1 datasheet?p=2SAR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SAR583D3TL1
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.