2SAR583D3TL1 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, Power Transistor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 145.78 грн |
| 10+ | 92.09 грн |
| 100+ | 54.05 грн |
| 500+ | 43.01 грн |
| 1000+ | 40.11 грн |
| 2500+ | 36.24 грн |
| 5000+ | 34.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR583D3TL1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 230MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SAR583D3TL1 за ціною від 44.49 грн до 157.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SAR583D3TL1 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 50V 7A TO-252Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Supplier Device Package: TO-252 Frequency - Transition: 230MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) |
на замовлення 2425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2SAR583D3TL1 | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 10W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 7A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 230MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 2SAR583D3TL1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 7A TO-252
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 230MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Description: TRANS PNP 50V 7A TO-252
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Supplier Device Package: TO-252
Frequency - Transition: 230MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 155.33 грн |
| 10+ | 95.80 грн |
| 100+ | 64.91 грн |
| 500+ | 48.49 грн |
| 1000+ | 44.49 грн |
| 2SAR583D3TL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 157.86 грн |
| 10+ | 101.48 грн |
| 100+ | 63.06 грн |



