2SAR583D3TL1 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 69.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR583D3TL1 ROHM
Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 7A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 230MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SAR583D3TL1 за ціною від 40.39 грн до 161.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SAR583D3TL1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, Power Transistor |
на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR583D3TL1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 230MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SAR583D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 50V 7A TO-252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 230MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 2425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SAR583D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SAR583D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SAR583D3TL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 50V 7A TO-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V Frequency - Transition: 230MHz Supplier Device Package: TO-252 Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W |
товару немає в наявності |