Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SAR586JFRGTLL

2SAR586JFRGTLL Rohm Semiconductor

Name: 2SAR586JFRGTLL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 17688064-3
Price: 393.66 UAH
Availability: InStock

datasheet?p=2SAR586JFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 5A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	196.83 грн
10+	122.68 грн
100+	84.55 грн
500+	64.84 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SAR586JFRGTLL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 40W, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 5A, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SAR586JFRGTLL

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
2SAR586JFRGTLL	ROHM	Description: ROHM - 2SAR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263AB Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C	на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
2SAR586JFRGTLL	ROHM Semiconductor	Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-263AB, -80V -5A, Power Transistor	на замовлення 621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
2SAR586JFRGTLL	ROHM	Description: ROHM - 2SAR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 40W Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 5A Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C	на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

2SAR586JFRGTLL

Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR586JFRGTLL

Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-263AB, -80V -5A, Power Transistor

на замовлення 621 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

2SAR586JFRGTLL

Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 40W
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 5A
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.