2SAR642PHZGT100 Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 266+ | 53.37 грн |
| 313+ | 45.31 грн |
| 500+ | 36.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SAR642PHZGT100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR642PHZGT100 - Transistor, Bipolar, PNP, 30 V, 3 A, SOT-89, AEC-Q101, 200 hFE, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2W, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: 240MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2SAR642PHZGT100 за ціною від 27.73 грн до 94.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SAR642PHZGT100 | Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 30V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
2SAR642PHZGT100 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
2SAR642PHZGT100 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 3A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 240MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
2SAR642PHZGT100 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP 30V 10A |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
2SAR642PHZGT100 | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR642PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, PNP, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 240MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
2SAR642PHZGT100 | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR642PHZGT100 - Transistor, Bipolar, PNP, 30 V, 3 A, SOT-89, AEC-Q101, 200 hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2W Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: 240MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SAR642PHZGT100 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT PNP 30V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 202+ | 78.18 грн |
| 2SAR642PHZGT100 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT PNP 30V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 89.28 грн |
| 15+ | 53.37 грн |
| 100+ | 45.31 грн |
| 500+ | 35.41 грн |
| 2SAR642PHZGT100 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 3A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
Description: TRANS PNP 30V 3A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 94.54 грн |
| 10+ | 57.38 грн |
| 100+ | 37.90 грн |
| 500+ | 27.73 грн |
| 2SAR642PHZGT100 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP 30V 10A
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP 30V 10A
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SAR642PHZGT100 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR642PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, PNP, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 240MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR642PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, PNP, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 240MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SAR642PHZGT100 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR642PHZGT100 - Transistor, Bipolar, PNP, 30 V, 3 A, SOT-89, AEC-Q101, 200 hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 240MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SAR642PHZGT100 - Transistor, Bipolar, PNP, 30 V, 3 A, SOT-89, AEC-Q101, 200 hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 240MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)