Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SB1121S-TD-E
2SB1121S-TD-E

2SB1121S-TD-E ON Semiconductor

en1787b-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1710+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 1710
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1121S-TD-E ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 25V 2A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SB1121S-TD-E за ціною від 17.80 грн до 46.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SB1121S-TD-E 2SB1121S-TD-E Виробник : ON Semiconductor en1787b-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1710+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 1710
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E 2SB1121S-TD-E Виробник : ON Semiconductor en1787b-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1710+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 1710
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E 2SB1121S-TD-E Виробник : ON Semiconductor en1787b-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1710+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 1710
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E 2SB1121S-TD-E Виробник : onsemi en1787b-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.84 грн
10+38.30 грн
100+26.61 грн
500+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E 2SB1121S-TD-E Виробник : ON Semiconductor EN1787B-D-1803568.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 25V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E Виробник : SANYO en1787b-d.pdf 08+ SOT-89
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E 2SB1121S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2464en1787b-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E 2SB1121S-TD-E Виробник : onsemi en1787b-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.