Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SB1121S-TD-E
2SB1121S-TD-E

2SB1121S-TD-E ON Semiconductor

en1787b-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1710+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 1710 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1121S-TD-E ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 25V 2A PCP, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SB1121S-TD-E за ціною від 19.21 грн до 46.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SB1121S-TD-E 2SB1121S-TD-E ON Semiconductor en1787b-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1710+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 1710 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E 2SB1121S-TD-E ON Semiconductor en1787b-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1710+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 1710 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E 2SB1121S-TD-E ON Semiconductor en1787b-d.pdf Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1710+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 1710 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E 2SB1121S-TD-E onsemi en1787b-d.pdf Description: TRANS PNP 25V 2A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.14 грн
10+37.73 грн
100+26.22 грн
500+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E 2SB1121S-TD-E ON Semiconductor EN1787B-D-1803568.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 25V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E SANYO en1787b-d.pdf 08+ SOT-89
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E en1787b-d.pdf
2SB1121S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1710+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 1710 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E en1787b-d.pdf
2SB1121S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1710+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 1710 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E en1787b-d.pdf
2SB1121S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1710+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 1710 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E en1787b-d.pdf
2SB1121S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 2A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.14 грн
10+37.73 грн
100+26.22 грн
500+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E EN1787B-D-1803568.pdf
2SB1121S-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 25V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1121S-TD-E en1787b-d.pdf
Виробник: SANYO
08+ SOT-89
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.