2SB1122S-TD-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1122S-TD-E onsemi
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SB1122S-TD-E за ціною від 6.55 грн до 15.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SB1122S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false Übergangsfrequenz: 150MHz rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 1A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 11580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
2SB1122S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 11580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB1122S-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2SB1122S-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2SB1122S-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2SB1122S-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2SB1122S-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2SB1122S-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2SB1122S-TD-E | SANYO |
SOT89 |
на замовлення 67000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SB1122S-TD-E | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 50V |
на замовлення 5467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SB1122S-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 45 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SB1122S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 150MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 1A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 150MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 1A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SB1122S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SB1122S-TD-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 12.59 грн |
| 95+ | 7.96 грн |
| 96+ | 7.88 грн |
| 97+ | 7.52 грн |
| 98+ | 6.90 грн |
| 100+ | 6.55 грн |
| 2SB1122S-TD-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2268+ | 15.56 грн |
| 2SB1122S-TD-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2268+ | 15.56 грн |
| 2SB1122S-TD-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2268+ | 15.56 грн |
| 2SB1122S-TD-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2268+ | 15.56 грн |
| 2SB1122S-TD-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2268+ | 15.56 грн |
| 2SB1122S-TD-E |
![]() |
Виробник: SANYO
SOT89
SOT89
на замовлення 67000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| 2SB1122S-TD-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 50V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 50V
на замовлення 5467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SB1122S-TD-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



