Продукція > ONSEMI > 2SB1122T-TD-E
2SB1122T-TD-E

2SB1122T-TD-E onsemi

2sb1122-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1122T-TD-E onsemi

Description: TRANS PNP 50V 1A PCP, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PCP, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції 2SB1122T-TD-E за ціною від 13.77 грн до 50.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SB1122T-TD-E 2SB1122T-TD-E onsemi 2sb1122-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+29.91 грн
100+19.27 грн
500+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1122T-TD-E 2SB1122T-TD-E ON Semiconductor 2SB1122-D-1801494.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 50V
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1122T-TD-E SANYO 2sb1122-d.pdf SOT89
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1122T-TD-E 2sb1122-d.pdf
2SB1122T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 1A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+50.48 грн
10+29.91 грн
100+19.27 грн
500+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1122T-TD-E 2SB1122-D-1801494.pdf
2SB1122T-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 50V
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1122T-TD-E 2sb1122-d.pdf
Виробник: SANYO
SOT89
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.