Продукція > ONSEMI > 2SB1123S-TD-E
2SB1123S-TD-E

2SB1123S-TD-E onsemi

en1727-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.92 грн
10+37.38 грн
100+24.22 грн
500+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1123S-TD-E onsemi

Description: TRANS PNP 50V 2A PCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: PCP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SB1123S-TD-E за ціною від 11.08 грн до 52.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SB1123S-TD-E Виробник : onsemi en1727-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.91 грн
11+32.07 грн
100+21.43 грн
500+16.59 грн
1000+16.22 грн
2000+12.62 грн
10000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1123S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1123S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1123S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1123S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 1587en1727-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1123S-TD-E 2SB1123S-TD-E Виробник : ONSEMI en1727-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1123S-TD-E 2SB1123S-TD-E Виробник : onsemi en1727-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1123S-TD-E 2SB1123S-TD-E Виробник : ONSEMI en1727-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.