Продукція > ONSEMI > 2SB1131S-AE

2SB1131S-AE onsemi

SNYOS08341-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: BIP PNP 5A 20V
Supplier Device Package: 3-MP
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1902+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 1902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1131S-AE onsemi

Description: BIP PNP 5A 20V, Supplier Device Package: 3-MP, Frequency - Transition: 320MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Packaging: Bulk, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A.