2SB1166S onsemi
Виробник: onsemiDescription: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 606+ | 37.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1166S onsemi
Description: PNP SILICON TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: TO-126LP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.2 W.
Інші пропозиції 2SB1166S за ціною від 41.10 грн до 43.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB1166S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1166S - 2SB1166S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 10834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| 2SB1166S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 8A 1200mW 3-Pin TO-126LP |
на замовлення 10334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|