2SB1167S onsemi
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TO-126LP
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1167S onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, Power - Max: 1.2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Supplier Device Package: TO-126LP, Frequency - Transition: 130MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2SB1167S за ціною від 29.37 грн до 29.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB1167S | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1200mW 3-Pin TO-126LP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| 2SB1167S | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1200mW 3-Pin TO-126LP |
на замовлення 10600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| 2SB1167S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1167S - 2SB1167S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1188 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SB1167S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1200mW 3-Pin TO-126LP
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1200mW 3-Pin TO-126LP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1207+ | 29.37 грн |
| 2SB1167S |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1200mW 3-Pin TO-126LP
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1200mW 3-Pin TO-126LP
на замовлення 10600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1207+ | 29.37 грн |
| 2SB1167S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1167S - 2SB1167S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SB1167S - 2SB1167S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


