2SB1167S onsemi
Виробник: onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 10600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 987+ | 22.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1167S onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: TO-126LP, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.2 W.
Інші пропозиції 2SB1167S за ціною від 25.16 грн до 26.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB1167S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1200mW 3-Pin TO-126LP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| 2SB1167S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1200mW 3-Pin TO-126LP |
на замовлення 10600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| 2SB1167S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1167S - 2SB1167S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|