Технічний опис 2SB1181TLQ Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: CPT3, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 10 W.
Інші пропозиції 2SB1181TLQ за ціною від 38.42 грн до 95.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1181TLQ | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3 Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: CPT3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
2SB1181TLQ | Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 151 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SB1181TLQ |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: CPT3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: CPT3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.31 грн |
| 10+ | 57.83 грн |
| 100+ | 38.42 грн |
| 2SB1181TLQ |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)