2SB1181TLQ Rohm Semiconductor
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 171+ | 71.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1181TLQ Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: CPT3, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 10 W.
Інші пропозиції 2SB1181TLQ за ціною від 31.09 грн до 113.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1181TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: CPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SB1181TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SB1181TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 1A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: CPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 10 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
2SB1181TLQ | Виробник : ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 1A |
товару немає в наявності |