2SB1182TLQ Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 30.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1182TLQ Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 32V 2A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 10 W.
Інші пропозиції 2SB1182TLQ за ціною від 31.20 грн до 129.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SB1182TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 32V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SB1182TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 32V 2A CPT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 10 W |
на замовлення 4604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SB1182TLQ | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 32V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 2SB1182 TL Q | Виробник : ROHM | SOT252/2.5 |
на замовлення 1396 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| 2SB1182 TLQ | Виробник : ROHM | TO252 |
на замовлення 743 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| 2SB1182TLQ | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q |
товару немає в наявності |
