2SB1188T100R Rohm Semiconductor
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1079+ | 11.48 грн |
| 2000+ | 9.08 грн |
| 3000+ | 8.99 грн |
| 5000+ | 8.58 грн |
| 7000+ | 7.79 грн |
| 10000+ | 7.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1188T100R Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції 2SB1188T100R за ціною від 7.58 грн до 91.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SB1188T100R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 32V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SB1188T100R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SB1188T100R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 2029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SB1188T100R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 32V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2SB1188 T100R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| 2SB1188T100R | Виробник : ROHM |
|
на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SB1188T100R | Виробник : ROHM |
03+ SOT-89 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SB1188 T100R | Виробник : ROHM | SOT89 |
на замовлення 86000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SB1188T100R | Виробник : ROHM |
SOT-89 |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SB1188T100R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 2A SO-89 |
товару немає в наявності |

