2SB1188T100P ROHM Semiconductor
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.75 грн |
| 10+ | 44.36 грн |
| 100+ | 28.84 грн |
| 500+ | 22.65 грн |
| 1000+ | 17.21 грн |
| 2000+ | 14.12 грн |
| 10000+ | 13.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1188T100P ROHM Semiconductor
Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції 2SB1188T100P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SB1188 T100P | Виробник : ROHM | SOT89 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2SB1188T100P | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W |
товару немає в наявності |