Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SB1188T100P

2SB1188T100P ROHM Semiconductor

rohm semiconductor_rohms10503-1.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT DVR PNP 32V 2A
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.41 грн
10+43.23 грн
100+28.10 грн
500+22.07 грн
1000+16.77 грн
2000+13.76 грн
10000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1188T100P ROHM Semiconductor

Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SB1188T100P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SB1188 T100P Виробник : ROHM SOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1188T100P 2SB1188T100P Виробник : Rohm Semiconductor 2SB1182,1188,1240.pdf Description: TRANS PNP 32V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.