Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > 2SB1197-Q
2SB1197-Q

2SB1197-Q Yangjie Technology

Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.61 грн
15000+2.37 грн
30000+2.22 грн
60000+1.95 грн
120000+1.75 грн
300000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1197-Q Yangjie Technology

Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції 2SB1197-Q за ціною від 2.16 грн до 2.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SB1197-Q Виробник : Yangjie Electronic Technology 2SB1197-Q
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1197Q Виробник : ROHM 09+
на замовлення 12038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.