2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2072+ | 6.89 грн |
| 2723+ | 5.24 грн |
| 3062+ | 4.66 грн |
| 3119+ | 4.41 грн |
| 3132+ | 4.07 грн |
| 6000+ | 3.88 грн |
| 12000+ | 3.80 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2072 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1197KT146Q Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SB1197KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 800 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SC-59, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2SB1197KT146Q за ціною від 5.64 грн до 33.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SB1197KT146Q | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 200mW 3-Pin SMT T/R |
на замовлення 1868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SB1197KT146Q | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 2771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SB1197KT146Q | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 0.8A |
на замовлення 4838 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2SB1197KT146Q | ROHM |
Description: ROHM - 2SB1197KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 800 mA, 200 mW, SC-59, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SB1197K-T146Q | ROHM | SOT23 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SB1197KT146Q |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 200mW 3-Pin SMT T/R
Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1241+ | 11.50 грн |
| 1284+ | 11.12 грн |
| 2SB1197KT146Q |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 30.92 грн |
| 17+ | 18.46 грн |
| 100+ | 11.67 грн |
| 500+ | 8.18 грн |
| 1000+ | 7.28 грн |
| 2SB1197KT146Q |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 0.8A
Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 0.8A
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 33.86 грн |
| 15+ | 20.48 грн |
| 100+ | 11.29 грн |
| 500+ | 8.43 грн |
| 1000+ | 7.48 грн |
| 3000+ | 7.33 грн |
| 6000+ | 5.64 грн |
| 2SB1197KT146Q |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SB1197KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 800 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - 2SB1197KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 800 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SB1197K-T146Q |
Виробник: ROHM
SOT23
SOT23
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)






