Продукція > ONSEMI > 2SB1201S-TL-E
2SB1201S-TL-E

2SB1201S-TL-E onsemi

2sb1201-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+32.07 грн
1400+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1201S-TL-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2SB1201S-TL-E за ціною від 22.50 грн до 107.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ONSEMI 2sb1201-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.08 грн
500+29.18 грн
1000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ONSEMI 2sb1201-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.51 грн
20+41.35 грн
100+32.08 грн
500+29.18 грн
1000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E onsemi 2sb1201-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 4335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.38 грн
10+57.10 грн
100+35.37 грн
700+27.15 грн
1400+25.11 грн
2100+22.86 грн
4900+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E onsemi 2sb1201-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 18640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.60 грн
10+65.67 грн
100+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2sb1201-d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.08 грн
500+29.18 грн
1000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2sb1201-d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.51 грн
20+41.35 грн
100+32.08 грн
500+29.18 грн
1000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2sb1201-d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 4335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.38 грн
10+57.10 грн
100+35.37 грн
700+27.15 грн
1400+25.11 грн
2100+22.86 грн
4900+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2sb1201-d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 18640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.60 грн
10+65.67 грн
100+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.