2SB1201S-TL-E ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 25.42 грн |
| 500+ | 21.70 грн |
| 1000+ | 19.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1201S-TL-E ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2SB1201S-TL-E за ціною від 6.86 грн до 100.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1201S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 13300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SB1201S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SB1201S-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 34300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SB1201S-TL-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V |
на замовлення 4530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SB1201S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SB1201S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SB1201S-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SB1201S-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 34766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SB1201S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
2SB1201S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
2SB1201S-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| 2SB1201S-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.8W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel; tape Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.8W Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 140...280 Frequency: 150MHz Polarisation: bipolar |
товару немає в наявності |