Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SB1201S-TL-E
2SB1201S-TL-E

2SB1201S-TL-E ON Semiconductor

2sb1201d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+8.05 грн
96+7.92 грн
97+7.80 грн
100+7.40 грн
250+6.74 грн
500+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1201S-TL-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SB1201S-TL-E за ціною від 27.67 грн до 105.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E onsemi 2sb1201-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+31.41 грн
1400+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ON Semiconductor 2sb1201d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ON Semiconductor 2sb1201d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+37.79 грн
1400+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ON Semiconductor 2sb1201d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
688+51.44 грн
1000+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ON Semiconductor 2sb1201d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
688+51.44 грн
Мінімальне замовлення: 688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ON Semiconductor 2sb1201d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
688+51.44 грн
Мінімальне замовлення: 688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ONSEMI 2sb1201-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.79 грн
10+52.73 грн
20+47.26 грн
100+36.32 грн
200+32.42 грн
250+31.26 грн
500+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E onsemi 2sb1201-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 18640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.39 грн
10+64.32 грн
100+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ONSEMI 2sb1201-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E onsemi 2sb1201-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 4318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ON Semiconductor 2sb1201d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2SB1201S-TL-E ONSEMI 2sb1201-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2sb1201-d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
700+31.41 грн
1400+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2sb1201d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
700+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2sb1201d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
700+37.79 грн
1400+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2sb1201d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
688+51.44 грн
1000+47.44 грн
Мінімальне замовлення: 688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2sb1201d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
688+51.44 грн
Мінімальне замовлення: 688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2sb1201d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
688+51.44 грн
Мінімальне замовлення: 688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2sb1201-d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.79 грн
10+52.73 грн
20+47.26 грн
100+36.32 грн
200+32.42 грн
250+31.26 грн
500+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2sb1201-d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 18640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.39 грн
10+64.32 грн
100+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2sb1201-d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2sb1201-d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 4318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2sb1201d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-E 2sb1201-d.pdf
2SB1201S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.