Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SB1201T-TL-E
2SB1201T-TL-E

2SB1201T-TL-E ON Semiconductor

2sb1201d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1619+21.81 грн
10000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 1619 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1201T-TL-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SB1201T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції 2SB1201T-TL-E за ціною від 24.96 грн до 63.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SB1201T-TL-E 2SB1201T-TL-E onsemi 2SB1201-D.PDF Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.40 грн
10+38.42 грн
100+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201T-TL-E 2SB1201T-TL-E onsemi 2SB1201-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201T-TL-E ONSEMI 2SB1201-D.PDF Description: ONSEMI - 2SB1201T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201T-TL-E 2SB1201-D.PDF
2SB1201T-TL-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.40 грн
10+38.42 грн
100+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201T-TL-E 2SB1201-D.PDF
2SB1201T-TL-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201T-TL-E 2SB1201-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1201T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.