Продукція > ONSEMI > 2SB1201T-TL-E

2SB1201T-TL-E onsemi


2SB1201-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.02 грн
10+39.40 грн
100+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1201T-TL-E onsemi

Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції 2SB1201T-TL-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SB1201T-TL-E 2SB1201T-TL-E ON Semiconductor EN2112-D-1803660.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201T-TL-E EN2112-D-1803660.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.