2SB1201T-TL-E ON Semiconductor
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1425+ | 21.42 грн |
| 10000+ | 19.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1201T-TL-E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SB1201T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SB1201T-TL-E за ціною від 18.98 грн до 64.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1201T-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 1138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
2SB1201T-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V |
на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
| 2SB1201T-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1201T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
2SB1201T-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
2SB1201T-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 2A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
товару немає в наявності |