2SB1202S-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 32595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1181+ | 18.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1202S-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SB1202S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SB1202S-E за ціною від 21.29 грн до 21.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1202S-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1202S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 32698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
2SB1202S-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
 |
2SB1202S-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V |
на замовлення 1217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
 |
2SB1202S-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag |
товару немає в наявності |
|||||
| 2SB1202S-E | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1W; IPAK Mounting: THT Case: IPAK Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 140...280 Collector current: 3A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar Frequency: 150MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||
|
|
2SB1202S-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 3A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TP Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
|||||
| 2SB1202S-E | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1W; IPAK Mounting: THT Case: IPAK Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 140...280 Collector current: 3A Type of transistor: PNP Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar Frequency: 150MHz |
товару немає в наявності |