Продукція > ONSEMI > 2SB1202S-E

2SB1202S-E onsemi


2sb1202-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 32595 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
968+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 968 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1202S-E onsemi

Description: TRANS PNP 50V 3A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SB1202S-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2SB1202S-E 2SB1202S-E onsemi 2SB1202_D-2310068.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-E 2SB1202_D-2310068.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.