Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SB1202S-TL-E
2SB1202S-TL-E

2SB1202S-TL-E ON Semiconductor

2sb1202-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
935+37.74 грн
1014+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 935 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1202S-TL-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SB1202S-TL-E за ціною від 31.04 грн до 37.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SB1202S-TL-E 2SB1202S-TL-E ON Semiconductor 2sb1202-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.74 грн
1014+34.81 грн
10000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2SB1202S-TL-E ON Semiconductor 2sb1202-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.74 грн
1014+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2SB1202S-TL-E ONSEMI 2sb1202-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2SB1202S-TL-E ONSEMI 2sb1202-d.pdf Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E ON Semiconductor 2SB1202_D-1801446.pdf Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2sb1202-d.pdf
2SB1202S-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
935+37.74 грн
1014+34.81 грн
10000+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2sb1202-d.pdf
2SB1202S-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
935+37.74 грн
1014+34.81 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2sb1202-d.pdf
2SB1202S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2sb1202-d.pdf
2SB1202S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-E 2SB1202_D-1801446.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.