Продукція > ONSEMI > 2SB1203S-TL-E
2SB1203S-TL-E

2SB1203S-TL-E onsemi

2SB1203%2C2SD1803.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 12859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1203S-TL-E onsemi

Description: TRANS PNP 50V 5A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SB1203S-TL-E за ціною від 44.74 грн до 48.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SB1203S-TL-E 2SB1203S-TL-E ON Semiconductor 2sd1803d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+48.53 грн
1000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-E 2SB1203S-TL-E ON Semiconductor 2sd1803d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+48.53 грн
1000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-E 2SB1203S-TL-E ON Semiconductor EN2085-D-1803574.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-E 2SB1203S-TL-E ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-E 2SB1203S-TL-E ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-E 2sd1803d.pdf
2SB1203S-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
728+48.53 грн
1000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-E 2sd1803d.pdf
2SB1203S-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
728+48.53 грн
1000+44.74 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-E EN2085-D-1803574.pdf
2SB1203S-TL-E
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-E EN2085-D.PDF
2SB1203S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-E EN2085-D.PDF
2SB1203S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.