Технічний опис 2SB1204T-E ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 50V 8A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: TP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SB1204T-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
2SB1204T-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 50V |
на замовлення 1127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SB1204T-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 50V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 50V
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




