2SB1205S-TL-E ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 832+ | 42.52 грн |
| 1000+ | 39.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1205S-TL-E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SB1205S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 10 W, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SB1205S-TL-E за ціною від 34.96 грн до 91.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SB1205S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 40600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SB1205S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SB1205S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SB1205S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 93100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SB1205S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 35700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SB1205S-TL-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 20300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
2SB1205S-TL-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 20V 5A TP-FAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| 2SB1205S-TL-E | SANYO |
SOT252/2.5 |
на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| 2SB1205S-TL-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| 2SB1205S-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1205S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 10 W, TO-252, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 83300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SB1205S-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 832+ | 42.52 грн |
| 1000+ | 39.22 грн |
| 10000+ | 34.96 грн |
| 2SB1205S-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 832+ | 42.52 грн |
| 1000+ | 39.22 грн |
| 2SB1205S-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 832+ | 42.52 грн |
| 1000+ | 39.22 грн |
| 10000+ | 34.96 грн |
| 2SB1205S-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 93100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 832+ | 42.52 грн |
| 1000+ | 39.22 грн |
| 10000+ | 34.96 грн |
| 2SB1205S-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 832+ | 42.52 грн |
| 1000+ | 39.22 грн |
| 10000+ | 34.96 грн |
| 2SB1205S-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 832+ | 42.52 грн |
| 1000+ | 39.22 грн |
| 10000+ | 34.96 грн |
| 2SB1205S-TL-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 20V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS PNP 20V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.44 грн |
| 10+ | 55.59 грн |
| 100+ | 36.70 грн |
| 2SB1205S-TL-E |
![]() |
Виробник: SANYO
SOT252/2.5
SOT252/2.5
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| 2SB1205S-TL-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SB1205S-TL-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1205S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 10 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SB1205S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 10 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 83300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




