2SB1205T-E ON Semiconductor
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 929+ | 13.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1205T-E ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 20V 5A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 320MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SB1205T-E за ціною від 14.28 грн до 31.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SB1205T-E | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R |
на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
2SB1205T-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
2SB1205T-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 20V 5A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TP Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 127000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
2SB1205T-E | Виробник : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V |
на замовлення 1938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
|
|
2SB1205T-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
| 2SB1205T-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1205T-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 127000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
2SB1205T-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 20V 5A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TP Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |