Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2SB1205T-E
2SB1205T-E

2SB1205T-E ON Semiconductor

en2114-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+12.10 грн
51+12.05 грн
100+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1205T-E ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 20V 5A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 320MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SB1205T-E за ціною від 12.96 грн до 29.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SB1205T-E 2SB1205T-E Виробник : ON Semiconductor en2114-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
939+12.97 грн
940+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 939
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-E 2SB1205T-E Виробник : ON Semiconductor en2114-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-E 2SB1205T-E Виробник : onsemi en2114-d.pdf Description: TRANS PNP 20V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 127000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
878+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 878
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-E 2SB1205T-E Виробник : ON Semiconductor EN2114-D-310458.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-E 2SB1205T-E Виробник : ON Semiconductor en2114-d.pdf Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-E Виробник : ONSEMI ONSMS36414-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SB1205T-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 127000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-E 2SB1205T-E Виробник : onsemi en2114-d.pdf Description: TRANS PNP 20V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.