Технічний опис 2SB1205T-E ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 20V 5A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 320MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SB1205T-E за ціною від 15.19 грн до 19.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SB1205T-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R |
на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SB1205T-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SB1205T-E | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V |
на замовлення 1938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
2SB1205T-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SB1205T-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1205T-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 127000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SB1205T-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 929+ | 15.19 грн |
| 2SB1205T-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 19.13 грн |
| 2SB1205T-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SB1205T-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SB1205T-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1205T-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SB1205T-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 127000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




