2SB1205T-TL-E ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1205T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 10 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 700+ | 28.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1205T-TL-E ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1205T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 10 W, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SB1205T-TL-E за ціною від 29.39 грн до 36.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1205T-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 20V 5A TP-FA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 25200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
2SB1205T-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
2SB1205T-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
2SB1205T-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 14700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
2SB1205T-TL-E | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V |
на замовлення 1732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
| 2SB1205T-TL-E | Виробник : SANYO |
|
на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
2SB1205T-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
2SB1205T-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 20V 5A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |