на замовлення 1000 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 86.86 грн |
| 10+ | 76.86 грн |
| 100+ | 52.07 грн |
| 500+ | 42.92 грн |
| 1000+ | 33.23 грн |
| 3000+ | 31.00 грн |
| 6000+ | 30.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1215S-E onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SB1215S-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1215S-E | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
2SB1215S-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 3A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: TP Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |