Продукція > ONSEMI > 2SB1215S-TL-E
2SB1215S-TL-E

2SB1215S-TL-E onsemi

en2539-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+32.86 грн
1400+28.93 грн
2100+27.54 грн
3500+24.39 грн
4900+23.52 грн
7000+22.68 грн
17500+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1215S-TL-E onsemi

Description: TRANS PNP 100V 3A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SB1215S-TL-E за ціною від 25.65 грн до 112.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SB1215S-TL-E 2SB1215S-TL-E Виробник : onsemi en2539-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 84117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.48 грн
10+63.74 грн
100+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-E 2SB1215S-TL-E Виробник : onsemi EN2539-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.68 грн
10+70.11 грн
100+40.49 грн
700+30.21 грн
1400+27.20 грн
2100+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-E Виробник : ON Semiconductor en2539-d.pdf
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-E 2SB1215S-TL-E Виробник : ON Semiconductor 76en2539-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1215S-TL-E Виробник : ONSEMI en2539-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 1W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 140...280
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.