2SB1216S-E onsemi

Name: 2SB1216S-E
Brand: onsemi
SKU: 13148893-3
Price: 333.45 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	66.69 грн
10+	56.42 грн
100+	43.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис 2SB1216S-E onsemi

Description: TRANS PNP 100V 4A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SB1216S-E

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
2SB1216S-E	Виробник : ON Semiconductor	Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V	на замовлення 1667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
2SB1216S-E	Виробник : ON Semiconductor		на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
2SB1216S-E	Виробник : ON Semiconductor	Trans GP BJT PNP 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
2SB1216S-E	Виробник : onsemi	Description: TRANS PNP 100V 4A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: TP Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.