Продукція > ONSEMI > 2SB1216S-E
2SB1216S-E

2SB1216S-E onsemi


2sb1216_2sd1816-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.85 грн
10+56.56 грн
100+43.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1216S-E onsemi

Description: TRANS PNP 100V 4A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SB1216S-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SB1216S-E 2SB1216S-E Виробник : ON Semiconductor 2SB1216_2SD1816-D-1801782.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1216_2sd1816-d.pdf
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-E 2SB1216S-E Виробник : ON Semiconductor 11710336676814342sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1216S-E 2SB1216S-E Виробник : onsemi 2sb1216_2sd1816-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.