2SB1216T-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 833+ | 26.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1216T-E onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SB1216T-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1216T-E | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V |
на замовлення 1336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SB1216T-E |
|
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.