2SB1216T-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 833+ | 27.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1216T-E onsemi
Description: TRANS PNP 100V 4A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SB1216T-E за ціною від 32.81 грн до 32.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1216T-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1216T-E - 2SB1216T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
2SB1216T-E | Виробник : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 4A 100V |
на замовлення 1336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
 |
2SB1216T-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
2SB1216T-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 4A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: TP Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |