2SB1229S-AA ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1229S-AA - 2SB1229 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2004+ | 13.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1229S-AA ONSEMI
Description: TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: 3-NP, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 750 mW.
Інші пропозиції 2SB1229S-AA за ціною від 13.63 грн до 14.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB1229S-AA | Виробник : onsemi |
Description: TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| 2SB1229S-AA | Виробник : Aptina Imaging |
2SB1229S-AA |
на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|