2SB1260T100Q Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 504+ | 28.08 грн |
| 523+ | 27.07 грн |
| 1000+ | 26.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1260T100Q Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3, Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: MPT3, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SB1260T100Q за ціною від 15.27 грн до 55.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1260T100Q | Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
2SB1260T100Q | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1260T100Q | ROHM |
|
на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SB1260T100Q |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.02 грн |
| 10+ | 32.91 грн |
| 100+ | 21.28 грн |
| 500+ | 15.27 грн |
| 2SB1260T100Q |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SB1260T100Q |
|
Виробник: ROHM
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)