Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SB1260T100Q
2SB1260T100Q

2SB1260T100Q Rohm Semiconductor

5281269815057512sb1260.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
504+24.69 грн
523+23.80 грн
1000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 504
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1260T100Q Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SB1260T100Q за ціною від 16.55 грн до 59.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SB1260T100Q 2SB1260T100Q Виробник : Rohm Semiconductor 5281269815057512sb1260.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.62 грн
10+35.66 грн
100+23.06 грн
500+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1260T100Q 2SB1260T100Q Виробник : Rohm Semiconductor 5281269815057512sb1260.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1260T100Q Виробник : ROHM 5281269815057512sb1260.pdf
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1260T100Q 2SB1260T100Q Виробник : Rohm Semiconductor 5281269815057512sb1260.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1260T100Q 2SB1260T100Q Виробник : Rohm Semiconductor 5281269815057512sb1260.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1260T100Q Виробник : ROHM Semiconductor rohms32747-1.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 80V 1A SO-89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.