Інші пропозиції 2SB1302S-TD-E за ціною від 19.92 грн до 19.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SB1302S-TD-E | onsemi |
Description: TRANS PNP 20V 5A PCPPackaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: PCP Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SB1302S-TD-E | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V |
на замовлення 3401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| 2SB1302S-TD-E | SANYO |
06+ SOT-89 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SB1302S-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||
| 2SB1302S-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1302S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 1.3 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2SB1302S-TD-E |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 20V 5A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.3 W
Description: TRANS PNP 20V 5A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1109+ | 19.92 грн |
| 2SB1302S-TD-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2SB1302S-TD-E |
![]() |
Виробник: SANYO
06+ SOT-89
06+ SOT-89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| 2SB1302S-TD-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SB1302S-TD-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1302S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SB1302S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





