на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 63.87 грн |
10+ | 55.72 грн |
100+ | 33.06 грн |
500+ | 27.68 грн |
1000+ | 23.28 грн |
2000+ | 20.78 грн |
5000+ | 19.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1308T100Q ROHM Semiconductor
Description: TRANS PNP 20V 3A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції 2SB1308T100Q
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
2SB1308T100Q | Виробник : ROHM |
![]() |
на замовлення 130818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
2SB1308T100Q | Виробник : ROHM |
![]() |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
2SB1308T100Q | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 2 W |
товару немає в наявності |