Технічний опис 2SB1308T100Q ROHM
Description: TRANS PNP 20V 3A MPT3, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: MPT3, Frequency - Transition: 120MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO).
Інші пропозиції 2SB1308T100Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SB1308T100Q | ROHM Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 3A |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SB1308T100Q |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 3A
Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 3A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)