Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SB1386T100R
2SB1386T100R

2SB1386T100R Rohm Semiconductor

2SB1386%2C1412%2C1326.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 20V 5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.32 грн
10+38.65 грн
100+25.22 грн
500+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SB1386T100R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 500mW, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SB1386T100R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SB1386T100R 2SB1386T100R ROHM 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf description Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1386T100R 2SB1386T100R ROHM 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf description Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1386 T100R ROHM 09+
на замовлення 34018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1386-T100R ROHM SOT89
на замовлення 8710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1386T100R description 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf
2SB1386T100R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1386T100R description 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf
2SB1386T100R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1386 T100R
Виробник: ROHM
09+
на замовлення 34018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1386-T100R
Виробник: ROHM
SOT89
на замовлення 8710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.