2SB1412TLR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 20V 5A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.68 грн |
| 10+ | 69.16 грн |
| 100+ | 46.18 грн |
| 500+ | 34.08 грн |
| 1000+ | 31.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1412TLR Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 20V 5A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SB1412TLR за ціною від 37.65 грн до 126.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2SB1412TLR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 5460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2SB1412TLR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 20V 5A CPT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
2SB1412TLR | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 5A |
товару немає в наявності |
