
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 105.39 грн |
10+ | 97.83 грн |
100+ | 55.93 грн |
500+ | 38.47 грн |
1000+ | 25.82 грн |
2000+ | 22.96 грн |
5000+ | 21.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1580T100 ROHM Semiconductor
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: MPT3, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції 2SB1580T100
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SB1580T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
товару немає в наявності |
|
![]() |
2SB1580T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: MPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
товару немає в наявності |