2SB1695TL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - 2SB1695TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1.5 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.57 грн |
| 500+ | 14.07 грн |
| 1000+ | 10.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1695TL ROHM
Description: ROHM - 2SB1695TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1.5 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 270hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 1.5A, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SB1695TL за ціною від 9.25 грн до 37.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1695TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 1.5A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TSMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SB1695TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SB1695TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1.5 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SB1695TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP 30V 1.5A |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SB1695TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
2SB1695TL PNP SMD transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
2SB1695TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 1.5A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TSMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |