2SB1710TL ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - 2SB1710TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.41 грн |
| 500+ | 12.34 грн |
| 1000+ | 8.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1710TL ROHM
Description: ROHM - 2SB1710TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SB1710TL за ціною від 8.98 грн до 40.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1710TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 1A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TSMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SB1710TL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SB1710TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SB1710TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP 30V 1A |
на замовлення 3306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SB1710TL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
2SB1710TL PNP SMD transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
2SB1710TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 1A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TSMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
товару немає в наявності |