
2SB1732TL Rohm Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
760+ | 16.03 грн |
788+ | 15.45 грн |
1000+ | 14.95 грн |
2500+ | 13.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1732TL Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 12V 1.5A TUMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: TUMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 400 mW.
Інші пропозиції 2SB1732TL за ціною від 9.98 грн до 56.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SB1732TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SB1732TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SB1732TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TUMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 400 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
2SB1732TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: TUMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 400 mW |
товару немає в наявності |