2SB1733TL Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1739+ | 8.14 грн |
| 1799+ | 7.86 грн |
| 1821+ | 7.77 грн |
| 2000+ | 7.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1733TL Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 1A TUMT3, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: TUMT3, Frequency - Transition: 320MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції 2SB1733TL за ціною від 16.65 грн до 29.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SB1733TL | Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 30V 1A 800mW 3-Pin TUMT T/R |
на замовлення 2707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
2SB1733TL | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 1A TUMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TUMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
2SB1733TL | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT 30V 1A PNP LOW |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2SB1733TL | ROHM |
SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SB1733TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 1A 800mW 3-Pin TUMT T/R
Trans GP BJT PNP 30V 1A 800mW 3-Pin TUMT T/R
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 595+ | 23.80 грн |
| 617+ | 22.94 грн |
| 1000+ | 22.19 грн |
| 2500+ | 20.77 грн |
| 2SB1733TL |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 1A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TUMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS PNP 30V 1A TUMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TUMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.45 грн |
| 13+ | 23.95 грн |
| 100+ | 16.65 грн |
| 2SB1733TL |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 30V 1A PNP LOW
Bipolar Transistors - BJT 30V 1A PNP LOW
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)